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    小白科普:芯片漏電定位方法
    1970年01月01日 08:00 分析儀器產業網


    小白科普:芯片漏電定位方法


    原創  儀準科技 王福成


    文章為多年工作經驗總結,供大家交流參考,若轉載請寫明出處。


    芯片漏電是失效分析案例中常見的,找到漏電位置是查明失效原因的前提,液晶漏電定位、EMMICCDInGaAs)、激光誘導等手段是工程人員經常采用的手段。多年來,在中國半導體產業有個誤區,認為激光誘導手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(laser scan Microscope).


         目前激光誘導功能在業內普遍被采用的有三種方法,這三種方法分別被申請了專#利(日本OBIRCH、美國TIVA、##加坡VBA)。國內大多數人認為只有OBIRCH才是激光誘導,其實TIVAVBAOBIRCH是同等的技術。三種技術都是利用激光掃描芯片表面的情況下,偵測出哪個位置的阻抗有較明顯變化,這個位置就可能是漏電位置。偵測阻抗變化就是用電壓和電流來反映,下面是三個技術原理:


                      1、OBIRCHTIVA


       


    如上圖是一個器件的漏電回路,R1代表漏電點的阻抗,I1代表回路電流,V代表回路上的電壓。


    OBIRCH;給器件回路加上一個電壓V,然后讓激光在芯片表面進行掃描,同時監測回路電流I1的變化.


    TIVA:給器件回路加上一個微小電流I1,然后讓激光在芯片表面進行掃描,同時監測回路電壓V的變化.


    2、VBA技術


     


    如上圖是一個器件的漏電回路,R1代表漏電點的阻抗,I1代表回路電流,V1代表回路上的電壓,R2是串聯在回路中的一個負載,V2R2兩端的電壓。


    OBIRCH;給器件回路加上一個電壓V1,然后讓激光在芯片表面進行掃描,同時監測V2的變化(V2/R2=I1,其實也是監測I1的變化),這樣大家可以看出來了,VBA其實就是OBIRCH,只是合理回避了NEC#利。


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